海力士研发1Ynm DDR4内存芯片,功耗再度下降15% – 热点资讯

今年的双十一电脑硬件的价格其实并没有太大的变化,相比固态硬盘的跳水式降价,内存的价格却依然坚挺。8GB的DDR4内存条还维持在350块的价位,与之前的200块8GB内存还相差甚远。然而一下的这则消息可能会让你对明年的内存市场抱有希望。

近日SK海力士已经宣布,基于1Ynm工艺的DDR4内存芯片已经研发成功,单颗1GB容量,最高支持3200MHz的频率。重要的是,相比于之前的1Xnm DRAM,最新的1Ynm DRAM可以实现15%的功耗下降以及20%的生产效率提升,这意味的可以让内存条的超频性能更强并且内存的产量也有对应的上涨。

与此同时,SK海力士还推出了自己的Sense Amp技术,旨在降低DRAM芯片的功耗以及数据出错可能性。官方宣称这款1Ynm的DDR4 DRAM芯片计划在明年第一季度出货,率先会应用在服务器以及PC的产品上,然后会向手机等移动设备推广。

实际上,DRAM芯片制造工艺突破20nm制造工艺之后,厂商对工艺的描述不再使用具体的数字,首先是1Xnm,随后到1Ynm,最后是1Znm。至于具体的含义,还需要厂商的解释。

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